IRF6609TR1
IRF6609TR1
Modello di prodotti:
IRF6609TR1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
17781 Pieces
Scheda dati:
IRF6609TR1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.45V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DIRECTFET™ MT
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:2 mOhm @ 31A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.8W (Ta), 89W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:DirectFET™ Isometric MT
Altri nomi:SP001529252
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):3 (168 Hours)
codice articolo del costruttore:IRF6609TR1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6290pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:69nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 20V 31A (Ta), 150A (Tc) 1.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:31A (Ta), 150A (Tc)
Email:[email protected]

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