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IRF6609TRPBF
- Modello di prodotti:
- IRF6609TRPBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14865 Pieces
- Scheda dati:
- IRF6609TRPBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRF6609TRPBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRF6609TRPBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.45V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DIRECTFET™ MT |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2 mOhm @ 31A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.8W (Ta), 89W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | DirectFET™ Isometric MT |
| Altri nomi: | IRF6609TRPBFTR SP001527932 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRF6609TRPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 6290pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 69nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 20V 31A (Ta), 150A (Tc) 1.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 31A (Ta), 150A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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