IRF6775MTR1PBF
IRF6775MTR1PBF
Modello di prodotti:
IRF6775MTR1PBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16288 Pieces
Scheda dati:
IRF6775MTR1PBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 100µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DIRECTFET™ MZ
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:56 mOhm @ 5.6A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.8W (Ta), 89W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:DirectFET™ Isometric MZ
Altri nomi:IRF6775MTR1PBFTR
SP001551188
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRF6775MTR1PBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1411pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:36nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 150V 4.9A (Ta), 28A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Tensione drain-source (Vdss):150V
Descrizione:MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.9A (Ta), 28A (Tc)
Email:[email protected]

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