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IRF6785MTRPBF
- Modello di prodotti:
- IRF6785MTRPBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14979 Pieces
- Scheda dati:
- IRF6785MTRPBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRF6785MTRPBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRF6785MTRPBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 100µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DIRECTFET™ MZ |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 100 mOhm @ 4.2A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.8W (Ta), 57W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | DirectFET™ Isometric MZ |
| Altri nomi: | IRF6785MTRPBF-ND IRF6785MTRPBFTR SP001562032 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IRF6785MTRPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1500pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 36nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 3.4A (Ta), 19A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.4A (Ta), 19A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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