IRF6798MTR1PBF
IRF6798MTR1PBF
Modello di prodotti:
IRF6798MTR1PBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18451 Pieces
Scheda dati:
IRF6798MTR1PBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.35V @ 150µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DIRECTFET™ MX
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:1.3 mOhm @ 37A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.8W (Ta), 78W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:DirectFET™ Isometric MX
Altri nomi:IRF6798MTR1PBFTR
SP001532344
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRF6798MTR1PBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6560pF @ 13V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:75nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:Schottky Diode (Body)
Descrizione espansione:N-Channel 25V 37A (Ta), 197A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Tensione drain-source (Vdss):25V
Descrizione:MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:37A (Ta), 197A (Tc)
Email:[email protected]

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