IRF9Z24NPBF
IRF9Z24NPBF
Modello di prodotti:
IRF9Z24NPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET P-CH 55V 12A TO-220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13750 Pieces
Scheda dati:
IRF9Z24NPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:175 mOhm @ 7.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max):45W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:*IRF9Z24NPBF
SP001555934
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
codice articolo del costruttore:IRF9Z24NPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:350pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:19nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 55V 12A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):55V
Descrizione:MOSFET P-CH 55V 12A TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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