IRF9Z24NSTRR
IRF9Z24NSTRR
Modello di prodotti:
IRF9Z24NSTRR
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
19540 Pieces
Scheda dati:
IRF9Z24NSTRR.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D2PAK
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:175 mOhm @ 7.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.8W (Ta), 45W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRF9Z24NSTRR
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:350pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:19nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 55V 12A (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D2PAK
Tensione drain-source (Vdss):55V
Descrizione:MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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