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IRFB3207ZGPBF
- Modello di prodotti:
- IRFB3207ZGPBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12645 Pieces
- Scheda dati:
- IRFB3207ZGPBF.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 150µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220AB |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 4.1 mOhm @ 75A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 300W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| Altri nomi: | SP001554560 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRFB3207ZGPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 6920pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 170nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 75V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 75V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IRFB3207ZGPBF
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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IRFB3306GPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 160A TO-220AB | Inchiesta |
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IRFB38N20DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB | Inchiesta |
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