Acquistare IRFB3307PBF con BYCHPS
Acquista con garanzia
IRFB3307PBF
- Modello di prodotti:
- IRFB3307PBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12246 Pieces
- Scheda dati:
- IRFB3307PBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRFB3307PBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRFB3307PBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 150µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220AB |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 6.3 mOhm @ 75A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 200W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| Altri nomi: | *IRFB3307PBF SP001555972 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IRFB3307PBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 5150pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 180nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 75V 130A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 75V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 130A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IRFB3307PBF
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFB3307 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB | Inchiesta |
|
IRFB3306GPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 160A TO-220AB | Inchiesta |
|
IRFB33N15DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB | Inchiesta |
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB | Inchiesta |
|
IRFB33N15D | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB | Inchiesta |
|
IRFB3207ZGPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB | Inchiesta |
|
IRFB3307ZGPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB | Inchiesta |
|
IRFB3307ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB | Inchiesta |
|
IRFB3207ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB | Inchiesta |
|
IRFB38N20DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB | Inchiesta |
|
IRFB3607PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB | Inchiesta |
|
IRFB3206PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers