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IRFD210
- Modello di prodotti:
- IRFD210
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 17653 Pieces
- Scheda dati:
- IRFD210.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRFD210, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRFD210 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.5 Ohm @ 360mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1W (Ta) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Altri nomi: | *IRFD210 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRFD210 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 140pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 8.2nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 600mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 600mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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