IRFPE50
IRFPE50
Modello di prodotti:
IRFPE50
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 7.8A TO-247AC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
12205 Pieces
Scheda dati:
IRFPE50.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:1.2 Ohm @ 4.7A, 10V
Dissipazione di potenza (max):190W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
Altri nomi:*IRFPE50
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRFPE50
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3100pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:200nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 800V 7.8A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
Tensione drain-source (Vdss):800V
Descrizione:MOSFET N-CH 800V 7.8A TO-247AC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7.8A (Tc)
Email:[email protected]

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