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IRLD120
- Modello di prodotti:
- IRLD120
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 19668 Pieces
- Scheda dati:
- IRLD120.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRLD120, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRLD120 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 270 mOhm @ 780mA, 5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.3W (Ta) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Altri nomi: | *IRLD120 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRLD120 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 490pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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