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IRLD110PBF
- Modello di prodotti:
- IRLD110PBF
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18631 Pieces
- Scheda dati:
- IRLD110PBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRLD110PBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRLD110PBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 540 mOhm @ 600mA, 5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.3W (Ta) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Altri nomi: | *IRLD110PBF |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IRLD110PBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 250pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.1nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4V, 5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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