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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFA14N85XHV
IXFA14N85XHV
IXFA14N85XHV
Modello di prodotti:
IXFA14N85XHV
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 850V 14A TO263-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19537 Pieces
Scheda dati:
IXFA14N85XHV.pdf
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introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5.5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-263 (IXFA)
Serie:HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:550 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):460W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:IXFA14N85XHV
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1043pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 850V 14A (Tc) 460W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):850V
Descrizione:MOSFET N-CH 850V 14A TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:14A (Tc)
Email:[email protected]

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