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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFA180N10T2
IXFA180N10T2
IXFA180N10T2
Modello di prodotti:
IXFA180N10T2
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13030 Pieces
Scheda dati:
IXFA180N10T2.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-263 (IXFA)
Serie:GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Rds On (max) a Id, Vgs:6 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max):480W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXFA180N10T2
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:10500pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:185nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 180A (Tc) 480W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA)
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:180A (Tc)
Email:[email protected]

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