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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFH18N90P
IXFH18N90P
IXFH18N90P
Modello di prodotti:
IXFH18N90P
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH TO-247
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
20037 Pieces
Scheda dati:
IXFH18N90P.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:6.5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247AD (IXFH)
Serie:HiPerFET™, PolarP2™
Rds On (max) a Id, Vgs:600 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):540W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:18 Weeks
codice articolo del costruttore:IXFH18N90P
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:5230pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:97nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 900V 18A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):900V
Descrizione:MOSFET N-CH TO-247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

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