IXFH67N10
IXFH67N10
Modello di prodotti:
IXFH67N10
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
13053 Pieces
Scheda dati:
IXFH67N10.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 4mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247AD (IXFH)
Serie:HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:25 mOhm @ 33.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):300W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
codice articolo del costruttore:IXFH67N10
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4500pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:260nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 67A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:67A (Tc)
Email:[email protected]

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