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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFP24N60X
IXFP24N60X
IXFP24N60X
Modello di prodotti:
IXFP24N60X
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 24A TO220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13700 Pieces
Scheda dati:
IXFP24N60X.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 2.5mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:175 mOhm @ 12A, 10V
Dissipazione di potenza (max):400W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXFP24N60X
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1910pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:47nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 24A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 24A TO220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:24A (Tc)
Email:[email protected]

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