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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFP26N50P3
IXFP26N50P3
IXFP26N50P3
Modello di prodotti:
IXFP26N50P3
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 26A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18268 Pieces
Scheda dati:
IXFP26N50P3.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 4mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:HiPerFET™, Polar3™
Rds On (max) a Id, Vgs:230 mOhm @ 13A, 10V
Dissipazione di potenza (max):500W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXFP26N50P3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2220pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:42nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 500V 26A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione:MOSFET N-CH 500V 26A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:26A (Tc)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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