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IXFT24N90P
- Modello di prodotti:
- IXFT24N90P
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH TO-268
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12774 Pieces
- Scheda dati:
- IXFT24N90P.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 6.5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-268 |
| Serie: | HiPerFET™, PolarP2™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 420 mOhm @ 12A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 660W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IXFT24N90P |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 7200pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 130nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 900V 24A (Tc) 660W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 900V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH TO-268 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 24A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IXFT24N90P
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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STP11NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 9A TO-220 | Inchiesta |
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IXFT20N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 20A TO-268 | Inchiesta |
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IXFT26N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-268 | Inchiesta |
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IRF3703PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 210A TO-220AB | Inchiesta |
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IXFT20N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268 | Inchiesta |
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