IXFT23N80Q
IXFT23N80Q
Modello di prodotti:
IXFT23N80Q
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 23A TO-268(D3)
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16663 Pieces
Scheda dati:
IXFT23N80Q.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 3mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-268
Serie:HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:420 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):500W (Tc)
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IXFT23N80Q
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4900pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:130nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 800V 23A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount TO-268
Tensione drain-source (Vdss):800V
Descrizione:MOSFET N-CH 800V 23A TO-268(D3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:23A (Tc)
Email:[email protected]

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