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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFT52N30Q
IXFT52N30Q
IXFT52N30Q
Modello di prodotti:
IXFT52N30Q
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 300V 52A TO-268
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17773 Pieces
Scheda dati:
IXFT52N30Q.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 4mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-268
Serie:HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:60 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):360W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXFT52N30Q
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:5300pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:150nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 300V 52A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268
Tensione drain-source (Vdss):300V
Descrizione:MOSFET N-CH 300V 52A TO-268
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:52A (Tc)
Email:[email protected]

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