IXTA80N10T7
IXTA80N10T7
Modello di prodotti:
IXTA80N10T7
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19119 Pieces
Scheda dati:
IXTA80N10T7.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 100µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-263-7 (IXTA..7)
Serie:TrenchMV™
Rds On (max) a Id, Vgs:14 mOhm @ 25A, 10V
Dissipazione di potenza (max):230W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IXTA80N10T7
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3040pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:60nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 80A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount TO-263-7 (IXTA..7)
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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