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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXTA8N50P
IXTA8N50P
IXTA8N50P
Modello di prodotti:
IXTA8N50P
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14752 Pieces
Scheda dati:
IXTA8N50P.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5.5V @ 100µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-263 (IXTA)
Serie:PolarHV™
Rds On (max) a Id, Vgs:800 mOhm @ 4A, 10V
Dissipazione di potenza (max):150W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:4 Weeks
codice articolo del costruttore:IXTA8N50P
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1050pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 500V 8A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione:MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

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