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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXTP52P10P
IXTP52P10P
IXTP52P10P
Modello di prodotti:
IXTP52P10P
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET P-CH 100V 52A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18408 Pieces
Scheda dati:
IXTP52P10P.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:PolarP™
Rds On (max) a Id, Vgs:50 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):300W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXTP52P10P
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2845pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:60nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 100V 52A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET P-CH 100V 52A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:52A (Tc)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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