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IXTP6N100D2
- Modello di prodotti:
- IXTP6N100D2
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13034 Pieces
- Scheda dati:
- IXTP6N100D2.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | - |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220AB |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.2 Ohm @ 3A, 0V |
| Dissipazione di potenza (max): | 300W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IXTP6N100D2 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2650pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 95nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | Depletion Mode |
| Descrizione espansione: | N-Channel 1000V (1kV) 6A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | - |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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