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SPD04P10PGBTMA1
- Modello di prodotti:
- SPD04P10PGBTMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17529 Pieces
- Scheda dati:
- SPD04P10PGBTMA1.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per SPD04P10PGBTMA1, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per SPD04P10PGBTMA1 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 380µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO252-3 |
| Serie: | SIPMOS® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1 Ohm @ 2.8A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 38W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | SP000212230 SPD04P10P G SPD04P10P G-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SPD04P10PGBTMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 319pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 100V 4A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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