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IXZ318N50
- Modello di prodotti:
- IXZ318N50
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- RF MOSFET N-CHANNEL
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14163 Pieces
- Scheda dati:
- IXZ318N50.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | - |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 500V |
| Tipo transistor: | N-Channel |
| Contenitore dispositivo fornitore: | - |
| Serie: | Z-MOS™ |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IXZ318N50 |
| Guadagno: | - |
| Frequenza: | - |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet N-Channel |
| Descrizione: | RF MOSFET N-CHANNEL |
| Valutazione attuale: | 1mA |
| Corrente - Test: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IXZ318N50
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
NPT2019 | M/A-Com Technology Solutions | FET RF 160V 6GHZ 14DFN | Inchiesta |
 |
IXZ316N60 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 | Inchiesta |
 |
PTFA142401ELV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-33288-2 | Inchiesta |
 |
2SK4037(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH PW-X | Inchiesta |
 |
PTFA091201EV4R0XTMA1 | Infineon Technologies | RF MOSFET LDMOS 28V H-36248-2 | Inchiesta |
 |
2SK3075(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSF RF N CH 30V 5A PW-X | Inchiesta |
 |
MRF8P20165WHR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780-4 | Inchiesta |
 |
ARF461CG | Microsemi Corporation | RF MOSFET N-CH 1000V TO247 | Inchiesta |
 |
MHT1008NT1 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS 2450MHZ | Inchiesta |
|
PTFB090901FAV2R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-37265-2 | Inchiesta |
|
MRF5S9150HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ NI-780S | Inchiesta |
 |
BLC8G27LS-140AVY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12751 | Inchiesta |
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