MBR20035CTR
Modello di prodotti:
MBR20035CTR
fabbricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrizione:
DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15514 Pieces
Scheda dati:
1.MBR20035CTR.pdf2.MBR20035CTR.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - diretta (Vf) (max) a If:650mV @ 100A
Tensione - inversa (Vr) (max):35V
Contenitore dispositivo fornitore:Twin Tower
Velocità:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:Twin Tower
Altri nomi:MBR20035CTRGN
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:4 Weeks
codice articolo del costruttore:MBR20035CTR
Descrizione espansione:Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 35V 200A (DC) Chassis Mount Twin Tower
Tipo diodo:Schottky
Configurazione diodo:1 Pair Common Anode
Descrizione:DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
Corrente - Dispersione inversa a Vr:5mA @ 20V
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo):200A (DC)
Email:[email protected]

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