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MBR20035CT
- Modello di prodotti:
- MBR20035CT
- fabbricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrizione:
- DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15689 Pieces
- Scheda dati:
- 1.MBR20035CT.pdf2.MBR20035CT.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 650mV @ 100A |
|---|---|
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 35V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | Twin Tower |
| Velocità: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | Twin Tower |
| Altri nomi: | MBR20035CTGN |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 4 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | MBR20035CT |
| Descrizione espansione: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 35V 200A (DC) Chassis Mount Twin Tower |
| Tipo diodo: | Schottky |
| Configurazione diodo: | 1 Pair Common Cathode |
| Descrizione: | DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 5mA @ 20V |
| Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo): | 200A (DC) |
| Email: | [email protected] |
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