MJ11032G
MJ11032G
Modello di prodotti:
MJ11032G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS NPN DARL 120V 50A TO3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12516 Pieces
Scheda dati:
MJ11032G.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):120V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:3.5V @ 500mA, 50A
Tipo transistor:NPN - Darlington
Contenitore dispositivo fornitore:TO-3
Serie:-
Potenza - Max:300W
imballaggio:Tray
Contenitore / involucro:TO-204AE
Altri nomi:MJ11032GOS
temperatura di esercizio:-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:13 Weeks
codice articolo del costruttore:MJ11032G
Frequenza - transizione:-
Descrizione espansione:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120V 50A 300W Through Hole TO-3
Descrizione:TRANS NPN DARL 120V 50A TO3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:1000 @ 25A, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):2mA
Corrente - collettore (Ic) (max):50A
Email:[email protected]

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