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MJ11032
- Modello di prodotti:
- MJ11032
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS NPN DARL 120V 50A TO3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 14739 Pieces
- Scheda dati:
- MJ11032.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 120V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 3.5V @ 500mA, 50A |
| Tipo transistor: | NPN - Darlington |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-3 |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 300W |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | TO-204AE |
| Altri nomi: | MJ11032OS |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | MJ11032 |
| Frequenza - transizione: | - |
| Descrizione espansione: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120V 50A 300W Through Hole TO-3 |
| Descrizione: | TRANS NPN DARL 120V 50A TO3 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 1000 @ 25A, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 2mA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 50A |
| Email: | [email protected] |
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