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NDD03N80Z-1G
- Modello di prodotti:
- NDD03N80Z-1G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13163 Pieces
- Scheda dati:
- NDD03N80Z-1G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 50µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | I-Pak |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 4.5 Ohm @ 1.2A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 96W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | NDD03N80Z-1G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 440pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 800V 2.9A (Tc) 96W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Tensione drain-source (Vdss): | 800V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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