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NDD03N80ZT4G
- Modello di prodotti:
- NDD03N80ZT4G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17962 Pieces
- Scheda dati:
- NDD03N80ZT4G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NDD03N80ZT4G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NDD03N80ZT4G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 50µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DPAK |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 4.5 Ohm @ 1.2A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 96W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | NDD03N80ZT4G-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 7 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | NDD03N80ZT4G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 440pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 800V 2.9A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 800V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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