NE3512S02-T1C-A
NE3512S02-T1C-A
Modello di prodotti:
NE3512S02-T1C-A
fabbricante:
CEL (California Eastern Laboratories)
Descrizione:
HJ-FET NCH 13.5DB S02
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17937 Pieces
Scheda dati:
1.NE3512S02-T1C-A.pdf2.NE3512S02-T1C-A.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - Prova:2V
Tensione - nominale:4V
Tipo transistor:HFET
Contenitore dispositivo fornitore:S02
Serie:-
Alimentazione - uscita:-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:4-SMD, Flat Leads
Altri nomi:NE3512S02-T1C-A-ND
NE3512S02-T1C-ATR
NE3512S02T1CA
Figura di rumore:0.35dB
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:NE3512S02-T1C-A
Guadagno:13.5dB
Frequenza:12GHz
Descrizione espansione:RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB S02
Descrizione:HJ-FET NCH 13.5DB S02
Valutazione attuale:70mA
Corrente - Test:10mA
Email:[email protected]

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