NE3516S02-T1C-A
NE3516S02-T1C-A
Modello di prodotti:
NE3516S02-T1C-A
fabbricante:
CEL (California Eastern Laboratories)
Descrizione:
IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15399 Pieces
Scheda dati:
NE3516S02-T1C-A.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - Prova:2V
Tensione - nominale:4V
Tipo transistor:N-Channel GaAs HJ-FET
Contenitore dispositivo fornitore:S02
Serie:-
Alimentazione - uscita:165mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:4-SMD, Flat Leads
Figura di rumore:0.35dB
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:NE3516S02-T1C-A
Guadagno:14dB
Frequenza:12GHz
Descrizione espansione:RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 14dB 165mW S02
Descrizione:IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
Valutazione attuale:60mA
Corrente - Test:10mA
Email:[email protected]

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