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NTHC5513T1G
- Modello di prodotti:
- NTHC5513T1G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N/P-CH 20V 1206A
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17520 Pieces
- Scheda dati:
- NTHC5513T1G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NTHC5513T1G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NTHC5513T1G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.2V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | ChipFET™ |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 1.1W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SMD, Flat Lead |
| Altri nomi: | NTHC5513T1GOS NTHC5513T1GOS-ND NTHC5513T1GOSTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 20 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | NTHC5513T1G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 180pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 4nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.9A, 2.2A 1.1W Surface Mount ChipFET™ |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET N/P-CH 20V 1206A |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.9A, 2.2A |
| Email: | [email protected] |
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