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NTMD2C02R2G
- Modello di prodotti:
- NTMD2C02R2G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13328 Pieces
- Scheda dati:
- NTMD2C02R2G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NTMD2C02R2G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NTMD2C02R2G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.2V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOIC |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 43 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 2W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | NTMD2C02R2GOS |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | NTMD2C02R2G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1100pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 5.2A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SOIC |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 5.2A, 3.4A |
| Email: | [email protected] |
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