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NTMD2P01R2
- Modello di prodotti:
- NTMD2P01R2
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 18437 Pieces
- Scheda dati:
- NTMD2P01R2.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NTMD2P01R2, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NTMD2P01R2 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOIC |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 100 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 710mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | NTMD2P01R2OS |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | NTMD2P01R2 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 750pF @ 16V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 18nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 16V 2.3A 710mW Surface Mount 8-SOIC |
| Tensione drain-source (Vdss): | 16V |
| Descrizione: | MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.3A |
| Email: | [email protected] |
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