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NTMD6N03R2G
- Modello di prodotti:
- NTMD6N03R2G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14680 Pieces
- Scheda dati:
- NTMD6N03R2G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NTMD6N03R2G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NTMD6N03R2G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOIC |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 32 mOhm @ 6A, 10V |
| Potenza - Max: | 1.29W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | NTMD6N03R2GOS NTMD6N03R2GOS-ND NTMD6N03R2GOSTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 23 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | NTMD6N03R2G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 950pF @ 24V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A |
| Email: | [email protected] |
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