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NTMD6P02R2SG
- Modello di prodotti:
- NTMD6P02R2SG
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17838 Pieces
- Scheda dati:
- NTMD6P02R2SG.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NTMD6P02R2SG, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NTMD6P02R2SG via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.2V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOIC |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 750mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | NTMD6P02R2SG |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1700pF @ 16V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 35nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.8A 750mW Surface Mount 8-SOIC |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.8A |
| Email: | [email protected] |
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