NTMS4916NR2G
Modello di prodotti:
NTMS4916NR2G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 11.4A SO8FL
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12144 Pieces
Scheda dati:
NTMS4916NR2G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOIC
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:9 mOhm @ 12A, 10V
Dissipazione di potenza (max):890mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:4 Weeks
codice articolo del costruttore:NTMS4916NR2G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1376pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 7.8A (Ta) 890mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 11.4A SO8FL
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7.8A (Ta)
Email:[email protected]

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