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NTMS4N01R2G
- Modello di prodotti:
- NTMS4N01R2G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18209 Pieces
- Scheda dati:
- NTMS4N01R2G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NTMS4N01R2G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NTMS4N01R2G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOIC |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 770mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | NTMS4N01R2GOS |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | NTMS4N01R2G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1200pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 16nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 20V 3.3A (Ta) 770mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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