NTMS5838NLR2G
Modello di prodotti:
NTMS5838NLR2G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 7.5A 8SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12257 Pieces
Scheda dati:
NTMS5838NLR2G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOIC
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:25 mOhm @ 7A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.5W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:NTMS5838NLR2G-ND
NTMS5838NLR2GOSTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:NTMS5838NLR2G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:785pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 40V 5.8A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione:MOSFET N-CH 40V 7.5A 8SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5.8A (Ta)
Email:[email protected]

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