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TK9J90E,S1E
- Modello di prodotti:
- TK9J90E,S1E
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 900V TO-3PN
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17824 Pieces
- Scheda dati:
- TK9J90E,S1E.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 900µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-3P(N) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.3 Ohm @ 4.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 250W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Altri nomi: | TK9J90E,S1E(S TK9J90ES1E |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | TK9J90E,S1E |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2000pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 46nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 900V 9A (Ta) 250W (Tc) Through Hole TO-3P(N) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 900V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 900V TO-3PN |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 9A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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