NVJS4151PT1G
NVJS4151PT1G
Modello di prodotti:
NVJS4151PT1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18702 Pieces
Scheda dati:
NVJS4151PT1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:67 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):1.2W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:NVJS4151PT1G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:850pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 20V 3.2A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.2A (Ta)
Email:[email protected]

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