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NVTJD4001NT1G
- Modello di prodotti:
- NVTJD4001NT1G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17065 Pieces
- Scheda dati:
- NVTJD4001NT1G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NVTJD4001NT1G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NVTJD4001NT1G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.5V @ 100µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.5 Ohm @ 10mA, 4V |
| Potenza - Max: | 272mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Altri nomi: | NVTJD4001NT1G-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 20 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | NVTJD4001NT1G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 33pF @ 5V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.3nC @ 5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 250mA 272mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 250mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NVTJD4001NT1G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
QS8M13TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8 | Inchiesta |
 |
STS3C2F100 | STMicroelectronics | MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOIC | Inchiesta |
 |
NVTJD4001NT2G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88 | Inchiesta |
 |
NVTJD4401NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-88 | Inchiesta |
 |
APTM50DUM19G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6 | Inchiesta |
 |
SSM6N7002BFU(T5L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6 | Inchiesta |
|
NVTJD4158CT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 0.88A SC-88 | Inchiesta |
 |
SI4559ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC | Inchiesta |
 |
SI3590DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP | Inchiesta |
 |
SH8M41TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A SOP8 | Inchiesta |
|
NVTJD4105CT1G | ON Semiconductor | MOSFET 20V 0.63A SC-88 | Inchiesta |
 |
IRF9952 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | Inchiesta |
 |
FDMS7600AS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56 | Inchiesta |
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