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APTM50DUM19G
- Modello di prodotti:
- APTM50DUM19G
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12419 Pieces
- Scheda dati:
- APTM50DUM19G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 10mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | SP6 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 22.5 mOhm @ 81.5A, 10V |
| Potenza - Max: | 1136W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | SP6 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | APTM50DUM19G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 22400pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 492nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 500V 163A 1136W Chassis Mount SP6 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 500V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 163A |
| Email: | [email protected] |
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