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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > PMCM650VNEZ
PMCM650VNEZ
PMCM650VNEZ
Modello di prodotti:
PMCM650VNEZ
fabbricante:
Nexperia
Descrizione:
MOSFET N-CH 12V 4WLCSP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18776 Pieces
Scheda dati:
PMCM650VNEZ.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:900mV @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:6-WLCSP (1.48x.98)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:25 mOhm @ 3A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):556mW (Ta), 12.5W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-XFBGA, WLCSP
Altri nomi:1727-2275-2
568-12561-2
568-12561-2-ND
934068627023
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:20 Weeks
codice articolo del costruttore:PMCM650VNEZ
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1060pF @ 6V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:15.4nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 12V 6.4A (Ta) 556mW (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount 6-WLCSP (1.48x.98)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V
Tensione drain-source (Vdss):12V
Descrizione:MOSFET N-CH 12V 4WLCSP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6.4A (Ta)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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