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PMDPB38UNE,115
- Modello di prodotti:
- PMDPB38UNE,115
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16410 Pieces
- Scheda dati:
- PMDPB38UNE,115.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | DFN2020-6 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 46 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 510mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | 568-10757-2 934066526115 PMDPB38UNE,115-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | PMDPB38UNE,115 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 268pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.4nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4A 510mW Surface Mount DFN2020-6 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4A |
| Email: | [email protected] |
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